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[新聞] 三星電子成功量產20納米DRAM
Mar 14th 2014, 08:27, by pf775
作者 pf775 (pf775)
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標題 [新聞] 三星電子成功量產20納米DRAM
時間 Fri Mar 14 08:27:10 2014
http://chinese.joins.com/big5/article.do?method=detail&art_id=116759 三星電子成功量產20納米DRAM 朴秀蓮 記者 2014.03.12 14:46 三星電子成功量產20納米DRAM,展示了在半導體領域的主導地位。 三星電子3月11日發布稱“公司在全球率先啓動了20納米4Gb DDR3 DRAM的量產工作”。1 納米等於十億分之一米,20納米僅相當於頭發絲粗細的2500分之一,20納米DRAM就是用如 此纖細的銅線製作的半導體。三星電子Nand閃存部門從2012年開始量產10納米半導體,但 由於DRAM結構復雜,而且需要高速運轉,始終無法突破25納米的技術瓶頸。 具備20納米DRAM量產係統之後,生產成本有望大幅下降。20納米DRAM的生產效率將比25納 米高出30%以上,比30納米級DRAM的效率高出一倍。因為DRAM芯片通過切割大小相同的晶 圓製造而成,線的直徑越小,芯片就越小,同樣的材料和時間就能製作出更多芯片。 更大的優點在於節省用電,電路越纖細,所耗電力越少,20納米DRAM的耗電量可以比25納 米DRAM減少25%左右。三星電子存儲芯片事業部戰略營銷組長(副社長)全永鉉說“將低 耗電的20納米DRAM用到電池容量有限的智能手機或平板電腦上,可以提高設備效率”,“ 由於售價相對較高,利潤空間也相對較大”。 成功利用原有設備量產新產品,也是20納米DRAM的一大特徵。如果要開發新的微細工藝, 置辦一係列生產設備,需要投入數千億韓元乃至數萬億韓元資金。但三星電子通過獨家改 良勾畫半導體線路的光刻技術,找到了可以有效利用原有設備的道路。全副社長強調“這 次研究還為量產10納米級DRAM打下了技術基礎”。 三星成功量產20納米DRAM之後,進一步拉大了與競爭企業之間的差距。市場調查企業“ DRAM eXchange”公司消息稱,三星電子去年在全球DRAM市場的份額為36.7%,在Nand閃存 市場的份額為38.4%,在存儲芯片市場穩固占據著第一的位置。在存儲芯片市場,SK海力 士與美國美光正奮力追擊三星電子。截止2000年代末,DRAM市場還是韓國幾家企業、日本 爾必達、德國奇夢達、美國美光、台灣南亞與力晶等共同角逐的舞台,奇夢達和力晶等企 業因為用低於成本價的價格進行“出血競爭”,最終與2010年前後宣告破產。爾必達也在 去年破產,拿下掛了13年的店招,改名為美光日本。 業界認為,量產20納米級DRAM將使三星進一步強化行業主導權。包括爾必達工廠在內,美 光去年第四季度20納米生產工程的比重也只占整體的21%,大幅落後於三星電子(68%)和 SK海力士(63%),差距在兩年以上。產業研究院研究委員朱大永(音)分析稱“相較於 已經停滯的電腦市場,量產的20納米DRAM將主攻成長勢頭強勁的手機設備市場,以此為中 心提高三星的競爭力”,“隨著移動設備市場的擴大,三星電子半導體部門的業績也會大 幅上升”。 --
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